Application of Laser-Assisted Atom Probe Tomography to the Study of Dopant Distribution in Silicon Devices

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Application of Laser-Assisted Atom Probe Tomography to the Study of Dopant Distribution in Silicon Devices
• 著者・編者: Han, Bin
• 著者標目: Han, Bin
• 出版年月日等: 2017-03-24
• 出版年（W3CDTF）: 2017-03-24
• 並列タイトル等: レーザー補助３次元アトムプローブを用いたシリコンデバイス中のドーパント分布の研究
• 寄与者: 永井康介
• 授与機関名: Tohoku University
• 授与年月日: 2017-03-24
• 授与年月日（W3CDTF）: 2017-03-24
• 報告番号: 甲第17551号
• 学位: 博士（工学）
• 博論授与番号: 甲第17551号
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: type:博士学位論文 (Thesis(doctor)); 課程
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11050595; https://dl.ndl.go.jp/pid/11050595
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• 収集根拠: 博士論文（自動収集）
• 受理日（W3CDTF）: 2018-03-04T07:19:18+09:00
• 作成日（W3CDTF）: 2017-10-19; 2017-03-24
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: http://hdl.handle.net/10097/00121545
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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