Application of Laser-Assisted Atom Probe Tomography to the Study of Dopant Distribution in Silicon Devices

• Material Type: 博士論文
• Title: Application of Laser-Assisted Atom Probe Tomography to the Study of Dopant Distribution in Silicon Devices
• Author/Editor: Han, Bin
• Author Heading: Han, Bin
• Publication Date: 2017-03-24
• Publication Date (W3CDTF): 2017-03-24
• Alternative Title: レーザー補助３次元アトムプローブを用いたシリコンデバイス中のドーパント分布の研究
• Contributor: 永井康介
• Degree grantor/type: Tohoku University
• Date Granted: 2017-03-24
• Date Granted (W3CDTF): 2017-03-24
• Dissertation Number: 甲第17551号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲第17551号
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Note (General): type:博士学位論文 (Thesis(doctor)); 課程
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11050595; https://dl.ndl.go.jp/pid/11050595
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2018-03-04T07:19:18+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2017-10-19; 2017-03-24
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10097/00121545
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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