GaN HEMTにおける表面起因の動作不安定性とAl2O3 MOS構造による制御

国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11099656

資料種別: 博士論文

著者: 西口, 賢弥

出版者: Hokkaido University

出版年: 2018-03-22

資料形態: デジタル

ページ数・大きさ等: -

授与大学名・学位: 北海道大学,博士(工学)

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デジタル

資料種別: 博士論文
タイトル: GaN HEMTにおける表面起因の動作不安定性とAl2O3 MOS構造による制御
著者・編者: 西口, 賢弥
著者標目: 西口, 賢弥
出版事項: Hokkaido University
出版年月日等: 2018-03-22
出版年（W3CDTF）: 2018-03-22
並列タイトル等: Surface-related operation instabilities of GaN HEMTs and their control using Al2O3-based MOS structures
寄与者: 本久, 順一
葛西, 誠也
佐野, 栄一
橋詰, 保
授与機関名: 北海道大学
授与年月日: 2018-03-22
授与年月日（W3CDTF）: 2018-03-22
報告番号: 甲第13083号
学位: 博士(工学)
博論授与番号: 甲第13083号
本文の言語コード: eng
NDC: 500
対象利用者: 一般
一般注記: (主査) 教授本久順一, 教授葛西誠也, 特任教授佐野栄一, 教授橋詰保
情報科学研究科（情報エレクトロニクス専攻）
DOI: 10.14943/doctoral.k13083
https://doi.org/10.14943/doctoral.k13083
国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11099656
https://dl.ndl.go.jp/pid/11099656
コレクション（共通）: 障害者向け資料
コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
収集根拠: 博士論文（自動収集）
受理日（W3CDTF）: 2018-06-04T01:14:06+09:00
作成日（W3CDTF）: 2018-02
記録形式（IMT）: PDF
オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
遠隔複写可否（NDL）: 可
掲載誌（URI）: https://doi.org/10.14943/doctoral.k13083
http://hdl.handle.net/2115/70528
参照（URI）: http://hdl.handle.net/2115/70526
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp