GaN HEMTにおける表面起因の動作不安定性とAl2O3 MOS構造による制御

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GaN HEMTにおける表面起因の動作不安定性とAl2O3 MOS構造による制御

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11099656

Material type: 博士論文

Author: 西口, 賢弥

Publisher: Hokkaido University

Publication date: 2018-03-22

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

Name of awarding university/degree: 北海道大学,博士(工学)

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Material Type: 博士論文
Title: GaN HEMTにおける表面起因の動作不安定性とAl2O3 MOS構造による制御
Author/Editor: 西口, 賢弥
Author Heading: 西口, 賢弥
Publication, Distribution, etc.: Hokkaido University
Publication Date: 2018-03-22
Publication Date (W3CDTF): 2018-03-22
Alternative Title: Surface-related operation instabilities of GaN HEMTs and their control using Al2O3-based MOS structures
Contributor: 本久, 順一
葛西, 誠也
佐野, 栄一
橋詰, 保
Degree grantor/type: 北海道大学
Date Granted: 2018-03-22
Date Granted (W3CDTF): 2018-03-22
Dissertation Number: 甲第13083号
Degree Type: 博士(工学)
Conferring No. (Dissertation): 甲第13083号
Text Language Code: eng
NDC: 500
Target Audience: 一般
Note (General): (主査) 教授本久順一, 教授葛西誠也, 特任教授佐野栄一, 教授橋詰保
情報科学研究科（情報エレクトロニクス専攻）
DOI: 10.14943/doctoral.k13083
https://doi.org/10.14943/doctoral.k13083
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11099656
https://dl.ndl.go.jp/pid/11099656
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2018-06-04T01:14:06+09:00
Date Created (W3CDTF): 2018-02
Format (IMT): PDF
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): https://doi.org/10.14943/doctoral.k13083
http://hdl.handle.net/2115/70528
Is Referenced By (URI): http://hdl.handle.net/2115/70526
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp