ラジカル窒化処理で形成したSiON/SiC構造の窒素の深さ方向分布の角度分解X線光電子分光法による解明

• 資料種別: 記事
• タイトル: ラジカル窒化処理で形成したSiON/SiC構造の窒素の深さ方向分布の角度分解X線光電子分光法による解明
• 著者・編者: 野平博司; 岡田葉月; 高嶋明人
• 出版事項: 日本 : 高輝度光科学研究センター
• 出版年月日等: 2018-01-25
• 出版年（W3CDTF）: 2018-01-25
• 並列タイトル等: The AR-XPS study on depth profile of N atom in oxynitride film formed on 4H-SiC by radical nitridation
• タイトル（掲載誌）: SPring-8/SACLA利用研究成果集
• 巻号年月日等（掲載誌）: 6(1)
• 掲載巻: 6(1)
• ISSN（掲載誌）: 2187-6886
• ISSN-L（掲載誌）: 2187-6886
• 本文の言語コード: jpn
• DOI: 10.18957/rr.6.1.13; https://doi.org/10.18957/rr.6.1.13
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11103179; https://dl.ndl.go.jp/pid/11103179
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• 収集根拠: オンライン資料収集制度
• 受理日（W3CDTF）: 2018-06-13T13:00:21+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2018-03-20
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: https://user.spring8.or.jp/resrep/
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11103174; https://dl.ndl.go.jp/pid/11103174
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: 放射光を用いた角度分解光電子分光法により、クリプトン窒素プラズマ（Kr : N₂ = 97 : 3）を用いたラジカル窒化処理で形成した SiON/4H-SiC の化学構造と窒素の深さ方向分布を調べた。N 1<i>s</i> 光電子スペクトルは、C面では、結合エネルギー 397 ...