ラジカル窒化処理で形成したSiON/SiC構造の窒素の深さ方向分布の角度分解X線光電子分光法による解明

国立国会図書館請求記号: Z7-370
国立国会図書館書誌ID: 11103179
国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11103179

資料種別: 記事

著者: 野平博司ほか

出版者: 高輝度光科学研究センター

出版年: 2018-01-25

資料形態: 紙・デジタル

掲載誌名: SPring-8/SACLA利用研究成果集 6(1)

掲載ページ: -

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資料詳細

要約等：: 放射光を用いた角度分解光電子分光法により、クリプトン窒素プラズマ（Kr : N2 = 97 : 3）を用いたラジカル窒化処理で形成した SiON/4H-SiC の化学構造と窒素の深さ方向分布を調べた。N 1s 光電子スペクトルは、C面では、結合エネルギー 397 ...

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: ラジカル窒化処理で形成したSiON/SiC構造の窒素の深さ方向分布の角度分解X線光電子分光法による解明
著者・編者: 野平博司
岡田葉月
高嶋明人
出版事項: 日本 : 高輝度光科学研究センター
出版年月日等: 2018-01-25
出版年（W3CDTF）: 2018-01-25
並列タイトル等: The AR-XPS study on depth profile of N atom in oxynitride film formed on 4H-SiC by radical nitridation
タイトル（掲載誌）: SPring-8/SACLA利用研究成果集
巻号年月日等（掲載誌）: 6(1)
掲載巻: 6(1)
ISSN（掲載誌）: 2187-6886
ISSN-L（掲載誌）: 2187-6886
本文の言語コード: jpn
DOI: 10.18957/rr.6.1.13
https://doi.org/10.18957/rr.6.1.13
国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11103179
https://dl.ndl.go.jp/pid/11103179
コレクション（共通）: 障害者向け資料
コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
収集根拠: オンライン資料収集制度
受理日（W3CDTF）: 2018-06-13T13:00:21+09:00
保存日（W3CDTF）: 2018-03-20
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
遠隔複写可否（NDL）: 可
掲載誌（URI）: https://user.spring8.or.jp/resrep/
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11103174
https://dl.ndl.go.jp/pid/11103174
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp

デジタル

要約等: 放射光を用いた角度分解光電子分光法により、クリプトン窒素プラズマ（Kr : N2 = 97 : 3）を用いたラジカル窒化処理で形成した SiON/4H-SiC の化学構造と窒素の深さ方向分布を調べた。N 1s 光電子スペクトルは、C面では、結合エネルギー 397 eV (LBE)、399 eV (MBE)および 401 eV (HBE)の３つの成分からなり、一方、Si面では、MBEとHBEの２つの成分のみであった。また、C面のMBEに関連する窒素原子は、SiO2 中に分布して存在するのに対し、C面のHBEとLBE、Si面のHBEとMBEに関係する窒素原子は、SiON/SiC界面に存在することを明らかにした。
DOI: 10.18957/rr.6.1.13
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
連携機関・データベース: 科学技術振興機構 : J-STAGE
http://www.jstage.jst.go.jp

デジタル

要約等: 放射光を用いた角度分解光電子分光法により、クリプトン窒素プラズマ（Kr : N2 = 97 : 3）を用いたラジカル窒化処理で形成した SiON/4H-SiC の化学構造と窒素の深さ方向分布を調べた。N 1s 光電子スペクトルは、C面では、結合エネルギー 397 eV (LBE)、399 eV (MBE)および 401 eV (HBE)の３つの成分からなり、一方、Si面では、MBEとHBEの２つの成分のみであった。また、C面のMBEに関連する窒素原子は、SiO2 中に分布して存在するのに対し、C面のHBEとLBE、Si面のHBEとMBEに関係する窒素原子は、SiON/SiC界面に存在することを明らかにした。
DOI: 10.18957/rr.6.1.13
https://doi.org/10.18957/rr.6.1.13
関連情報（URI）: http://id.ndl.go.jp/digimeta/11103179
https://dl.ndl.go.jp/pid/11103179
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research
https://cir.nii.ac.jp/
提供元機関・データベース: Japan Link Center
https://japanlinkcenter.org/top
雑誌記事索引データベース
https://ndlsearch.ndl.go.jp
CiNii Articles
書誌ID（NDLBibID）: 11103179
http://id.ndl.go.jp/bib/11103179
NII論文ID: 130007969409

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