ラジカル窒化処理で形成したSiON/SiC構造の窒素の深さ方向分布の角度分解X線光電子分光法による解明

• Material Type: 記事
• Title: ラジカル窒化処理で形成したSiON/SiC構造の窒素の深さ方向分布の角度分解X線光電子分光法による解明
• Author/Editor: 野平博司; 岡田葉月; 高嶋明人
• Publication, Distribution, etc.: 日本 : 高輝度光科学研究センター
• Publication Date: 2018-01-25
• Publication Date (W3CDTF): 2018-01-25
• Alternative Title: The AR-XPS study on depth profile of N atom in oxynitride film formed on 4H-SiC by radical nitridation
• Periodical title: SPring-8/SACLA利用研究成果集
• No. or year of volume/issue: 6(1)
• Volume: 6(1)
• ISSN (Periodical Title): 2187-6886
• ISSN-L (Periodical Title): 2187-6886
• Text Language Code: jpn
• DOI: 10.18957/rr.6.1.13; https://doi.org/10.18957/rr.6.1.13
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11103179; https://dl.ndl.go.jp/pid/11103179
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• Acquisition Basis: オンライン資料収集制度
• Date Accepted (W3CDTF): 2018-06-13T13:00:21+09:00
• Date Captured (W3CDTF): 2018-03-20
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): https://user.spring8.or.jp/resrep/
• Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/11103174; https://dl.ndl.go.jp/pid/11103174
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• Summary, etc.: 放射光を用いた角度分解光電子分光法により、クリプトン窒素プラズマ（Kr : N₂ = 97 : 3）を用いたラジカル窒化処理で形成した SiON/4H-SiC の化学構造と窒素の深さ方向分布を調べた。N 1<i>s</i> 光電子スペクトルは、C面では、結合エネルギー 397 eV (LBE)、399 eV (MBE)および 401 eV (HBE)の３つの成分からなり、一方、Si面では、MBEとHBEの２つの成分のみであった。また、C面のMBEに関連する窒素原子は、SiO₂ 中に分布して存在するのに対し、C面のHBEとLBE、Si面のHBEとMBEに関係する窒素原子は、SiON/SiC界面に存在することを明らかにした。
• DOI: 10.18957/rr.6.1.13
• Access Restrictions: インターネット公開
• Data Provider (Database): 科学技術振興機構 : J-STAGE; http://www.jstage.jst.go.jp

• Summary, etc.: 放射光を用いた角度分解光電子分光法により、クリプトン窒素プラズマ（Kr : N₂ = 97 : 3）を用いたラジカル窒化処理で形成した SiON/4H-SiC の化学構造と窒素の深さ方向分布を調べた。N 1<i>s</i> 光電子スペクトルは、C面では、結合エネルギー 397 eV (LBE)、399 eV (MBE)および 401 eV (HBE)の３つの成分からなり、一方、Si面では、MBEとHBEの２つの成分のみであった。また、C面のMBEに関連する窒素原子は、SiO₂ 中に分布して存在するのに対し、C面のHBEとLBE、Si面のHBEとMBEに関係する窒素原子は、SiON/SiC界面に存在することを明らかにした。
• DOI: 10.18957/rr.6.1.13; https://doi.org/10.18957/rr.6.1.13
• Related Material (URI): http://id.ndl.go.jp/digimeta/11103179; https://dl.ndl.go.jp/pid/11103179
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : CiNii Research; https://cir.nii.ac.jp/
• Original Data Provider (Database): Japan Link Center; https://japanlinkcenter.org/top; 雑誌記事索引データベース; https://ndlsearch.ndl.go.jp; CiNii Articles
• Bibliographic ID (NDL): 11103179; http://id.ndl.go.jp/bib/11103179
• NAID: 130007969409