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Interface control of Al2O3-based insulated-gate structures for high-frequency GaN HEMTs
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- Ozaki, Shiro
- 著者標目
- 出版年月日等
- 2019-03-25
- 出版年（W3CDTF）
- 2019-03-25
- 並列タイトル等
- Al2O3絶縁ゲート構造の界面制御と高周波GaN HEMTへの応用
- 寄与者
- 本久, 順一葛西, 誠也佐藤, 威友
- 授与機関名
- 北海道大学