窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究

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資料種別: 博士論文
タイトル: 窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究
著者・編者: 草場, 彰
出版年月日等: 2019-03-20
出版年（W3CDTF）: 2019-03-20
寄与者: 寒川, 義裕
高橋, 厚史
伊藤, 智徳
授与機関名: 九州大学
授与年月日: 2019-03-20
授与年月日（W3CDTF）: 2019-03-20
報告番号: 甲第14544号
学位: 博士（工学）
博論授与番号: 甲第14544号
本文の言語コード: jpn
国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11478578
https://dl.ndl.go.jp/pid/11478578
コレクション（共通）: 障害者向け資料
コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
収集根拠: 博士論文（自動収集）
受理日（W3CDTF）: 2020-04-06T03:04:11+09:00
作成日（W3CDTF）: 2019-05-20
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
遠隔複写可否（NDL）: 可
掲載誌（URI）: http://hdl.handle.net/2324/2236233
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp