窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究

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Material Type: 博士論文
Title: 窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究
Author/Editor: 草場, 彰
Publication Date: 2019-03-20
Publication Date (W3CDTF): 2019-03-20
Contributor: 寒川, 義裕
高橋, 厚史
伊藤, 智徳
Degree grantor/type: 九州大学
Date Granted: 2019-03-20
Date Granted (W3CDTF): 2019-03-20
Dissertation Number: 甲第14544号
Degree Type: 博士（工学）
Conferring No. (Dissertation): 甲第14544号
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11478578
https://dl.ndl.go.jp/pid/11478578
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
Date Accepted (W3CDTF): 2020-04-06T03:04:11+09:00
Date Created (W3CDTF): 2019-05-20
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/2324/2236233
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp