CMOSイメージセンサ用Siウェーハにおける近接ゲッタリングのための新規分子イオン注入技術

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: CMOSイメージセンサ用Siウェーハにおける近接ゲッタリングのための新規分子イオン注入技術
• 著者・編者: 廣瀬, 諒
• 著者標目: 廣瀬, 諒
• 出版事項: Kyoto University
• 出版年月日等: 2020-03-23
• 出版年（W3CDTF）: 2020-03-23
• 並列タイトル等: Novel molecular ion implantation technology for proximity gettering in silicon wafer for CMOS image sensor
• 寄与者: 斉藤, 学; 神野, 郁夫; 松尾, 二郎
• 授与機関名: 京都大学; Kyoto University
• 授与年月日: 2020-03-23
• 授与年月日（W3CDTF）: 2020-03-23
• 報告番号: 甲第22442号
• 学位: 博士(工学)
• 博論授与番号: 甲第22442号
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: proximity gettering technology; silicon wafer; molecular ion implantation; CMOS image sensor; ion implantation defect
• NDC: 500
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 機関リポジトリ記載の権利情報: 題目 ：Proximity gettering of silicon wafers using CH3O multielement molecular ion implantation technique 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:/10.7567/JJAP.57.096503. 題目 ：Proximity gettering technique using CH3O multielement molecular ion implantation for white spot defect density reduction in CMOS image sensor 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab4fc9. 題目 ：Effect of ramping up rate on end of range defect in multielement molecular-ion (CH3O)-implanted silicon wafers 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab358b
• DOI: 10.14989/doctor.k22442; https://doi.org/10.14989/doctor.k22442
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11526909; https://dl.ndl.go.jp/pid/11526909
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• 収集根拠: 博士論文（自動収集）
• 受理日（W3CDTF）: 2020-08-11T22:41:34+09:00
• 記録形式（IMT）: application/pdf; text/plain
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: https://doi.org/10.14989/doctor.k22442; http://hdl.handle.net/2433/253278
• 異版（URI）: https://doi.org/10.7567/JJAP.57.096503; https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab4fc9; https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab358b
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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