Ge(110)基板上GeSnヘテロエピタキシャル層の局所領域における異方的ひずみ構造のマイクロ回折分析

• 資料種別: 記事
• タイトル: Ge(110)基板上GeSnヘテロエピタキシャル層の局所領域における異方的ひずみ構造のマイクロ回折分析
• 著者・編者: 中塚理; 浅野孝典; 財満鎭明
• 出版事項: 日本 : 高輝度光科学研究センター
• 出版年月日等: 2019-08-29
• 出版年（W3CDTF）: 2019-08-29
• 並列タイトル等: Microdiffraction analysis on anisotropic local strain structures of GeSn hetero-epitaxial layers grown on Ge(110) substrates
• タイトル（掲載誌）: SPring-8/SACLA利用研究成果集
• 巻号年月日等（掲載誌）: 7(2)
• 掲載巻: 7(2)
• ISSN（掲載誌）: 2187-6886
• ISSN-L（掲載誌）: 2187-6886
• 本文の言語コード: jpn
• DOI: 10.18957/rr.7.2.114; https://doi.org/10.18957/rr.7.2.114
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11564968; https://dl.ndl.go.jp/pid/11564968
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• 収集根拠: オンライン資料収集制度
• 受理日（W3CDTF）: 2020-11-02T20:41:07+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2019-09-21
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: https://user.spring8.or.jp/resrep/
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11564965; https://dl.ndl.go.jp/pid/11564965
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: Ge(110) 基板上に形成した GeSn 混晶エピタキシャル層における局所ひずみ構造をマイクロ回折法によって分析した。[001]方向からマイクロビームを入射してサブミクロンスケールの走査を行った ω ロッキングカーブにおいては特徴的な揺らぎが観測されたのに対し、[<span style="text...