光電子ホログラフィー法による強磁性半導体Ge0.6Mn0.4Teの原子構造解析

• 資料種別: 記事
• タイトル: 光電子ホログラフィー法による強磁性半導体Ge0.6Mn0.4Teの原子構造解析
• 著者・編者: 八方直久; 仙波伸也; 松下智裕
• 出版事項: 日本 : 高輝度光科学研究センター
• 出版年月日等: 2020-01-22
• 出版年（W3CDTF）: 2020-01-22
• 並列タイトル等: Atomic arrangement analysis of ferromagnetic semiconductor Ge0.6Mn0.4Te by photoelectron holography
• タイトル（掲載誌）: SPring-8/SACLA利用研究成果集
• 巻号年月日等（掲載誌）: 8(1)
• 掲載巻: 8(1)
• ISSN（掲載誌）: 2187-6886
• ISSN-L（掲載誌）: 2187-6886
• 本文の言語コード: jpn
• DOI: 10.18957/rr.8.1.5; https://doi.org/10.18957/rr.8.1.5
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11670495; https://dl.ndl.go.jp/pid/11670495
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• 収集根拠: オンライン資料収集制度
• 受理日（W3CDTF）: 2021-05-13T20:29:08+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2020-03-25
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: https://user.spring8.or.jp/resrep/
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11670493; https://dl.ndl.go.jp/pid/11670493
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: 強磁性半導体 Ge_1-<i>x</i>Mn_<i>x</i>Te の光電子ホログラム測定を行った。948 eV の励起光に対して、運動エネルギーが 900 eV の光電子放出強度の角度分布を測定して、Te 4<i>d </i>光電子回折パターン（光電子ホログ...