光電子ホログラフィー法による強磁性半導体Ge0.6Mn0.4Teの原子構造解析

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光電子ホログラフィー法による強磁性半導体Ge0.6Mn0.4Teの原子構造解析

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11670495

Material type: 記事

Author: 八方直久ほか

Publisher: 高輝度光科学研究センター

Publication date: 2020-01-22

Material Format: Digital

Journal name: SPring-8/SACLA利用研究成果集 8(1)

Publication Page: -

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Summary, etc.：: 強磁性半導体 Ge1-xMnxTe の光電子ホログラム測定を行った。948 eV の励起光に対して、運動エネルギーが 900 eV の光電子放出強度の角度分布を測定して、Te 4d 光電子回折パターン（光電子ホログ...

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Material Type: 記事
Title: 光電子ホログラフィー法による強磁性半導体Ge0.6Mn0.4Teの原子構造解析
Author/Editor: 八方直久
仙波伸也
松下智裕
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 高輝度光科学研究センター
Publication Date: 2020-01-22
Publication Date (W3CDTF): 2020-01-22
Alternative Title: Atomic arrangement analysis of ferromagnetic semiconductor Ge0.6Mn0.4Te by photoelectron holography
Periodical title: SPring-8/SACLA利用研究成果集
No. or year of volume/issue: 8(1)
Volume: 8(1)
ISSN (Periodical Title): 2187-6886
ISSN-L (Periodical Title): 2187-6886
Text Language Code: jpn
DOI: 10.18957/rr.8.1.5
https://doi.org/10.18957/rr.8.1.5
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11670495
https://dl.ndl.go.jp/pid/11670495
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
Acquisition Basis: オンライン資料収集制度
Date Accepted (W3CDTF): 2021-05-13T20:29:08+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2020-03-25
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): https://user.spring8.or.jp/resrep/
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/11670493
https://dl.ndl.go.jp/pid/11670493
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp

Digital

Summary, etc.: 強磁性半導体 Ge1-xMnxTe の光電子ホログラム測定を行った。948 eV の励起光に対して、運動エネルギーが 900 eV の光電子放出強度の角度分布を測定して、Te 4d 光電子回折パターン（光電子ホログラム）の取得に成功した。得られたホログラムより Te 周辺の原子像を再生したところ、Te のサイトに原子位置の揺らぎがあることが分かった。この結果は蛍光X線ホログラフィーの結果と一致する。
DOI: 10.18957/rr.8.1.5
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 科学技術振興機構 : J-STAGE
http://www.jstage.jst.go.jp

Digital

Summary, etc.: 強磁性半導体 Ge1-xMnxTe の光電子ホログラム測定を行った。948 eV の励起光に対して、運動エネルギーが 900 eV の光電子放出強度の角度分布を測定して、Te 4d 光電子回折パターン（光電子ホログラム）の取得に成功した。得られたホログラムより Te 周辺の原子像を再生したところ、Te のサイトに原子位置の揺らぎがあることが分かった。この結果は蛍光X線ホログラフィーの結果と一致する。
DOI: 10.18957/rr.8.1.5
https://doi.org/10.18957/rr.8.1.5
Related Material (URI): http://id.ndl.go.jp/digimeta/11670495
https://dl.ndl.go.jp/pid/11670495
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : CiNii Research
https://cir.nii.ac.jp/
Original Data Provider (Database): Japan Link Center
https://japanlinkcenter.org/top
雑誌記事索引データベース
https://ndlsearch.ndl.go.jp
CiNii Articles
Bibliographic ID (NDL): 11670495
http://id.ndl.go.jp/bib/11670495
NAID: 130007969623

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