本資料は、掲載誌(URI)等のリンク先にある学位授与機関のWebサイトやCiNii Dissertationsから、本文を自由に閲覧できる場合があります。
次世代メモリデバイスへ向けて原子層堆積法により作製したHfxZr1?xO2薄膜の強誘電性に関する研究
国立国会図書館館内限定公開
収録元データベースで確認する
国立国会図書館デジタルコレクション
デジタルデータあり
書店で探す
障害者向け資料で読む
目次
2023-03-02 再収集
2023-03-02 再収集
2023-03-02 再収集
2023-10-11 再収集
2023-10-11 再収集
書店で探す
障害者向け資料で読む
書誌情報
この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 女屋, 崇
- 著者標目
- 出版年月日等
- 2021-01-01
- 出版年(W3CDTF)
- 2021-01-01
- 並列タイトル等
- Study on Ferroelectricity of HfxZr1?xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition for Future Memory Device Applications
- 授与機関名
- 明治大学
- 授与年月日
- 2021-03-26
- 授与年月日(W3CDTF)
- 2021-03-26