次世代メモリデバイスへ向けて原子層堆積法により作製したHfxZr1?xO2薄膜の強誘電性に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 次世代メモリデバイスへ向けて原子層堆積法により作製したHfxZr1?xO2薄膜の強誘電性に関する研究
• Author/Editor: 女屋, 崇
• Author Heading: 女屋, 崇
• Publication Date: 2021-01-01
• Publication Date (W3CDTF): 2021-01-01
• Alternative Title: Study on Ferroelectricity of HfxZr1?xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition for Future Memory Device Applications
• Degree grantor/type: 明治大学
• Date Granted: 2021-03-26
• Date Granted (W3CDTF): 2021-03-26
• Dissertation Number: 甲第1018号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲第1018号
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 2021
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/11691193; https://dl.ndl.go.jp/pid/11691193
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2021-07-05T22:24:43+09:00
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10291/21807; https://meiji.repo.nii.ac.jp/records/15229
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

Table of Contents

2023-03-02 再収集

2023-03-02 再収集

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2023-10-11 再収集

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