本資料は、掲載誌(URI)等のリンク先にある学位授与機関のWebサイトやCiNii Dissertationsから、本文を自由に閲覧できる場合があります。
縦型GaNパワーデバイス実現に向けたICP-RIEを用いたトレンチ形成プロセスに関する研究
国立国会図書館館内限定公開
収録元データベースで確認する
国立国会図書館デジタルコレクション
書店で探す
障害者向け資料で読む
書店で探す
障害者向け資料で読む
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 山田, 真嗣
- 出版事項
- 出版年月日等
- 2021
- 出版年（W3CDTF）
- 2021
- 並列タイトル等
- Study on trench formation by inductively coupled plasma reactive ion etching for realization of vertical GaN power devices
- 授与機関名
- 名古屋大学
- 授与年月日
- 2021-03-25
- 授与年月日（W3CDTF）
- 2021-03-25