縦型GaNパワーデバイス実現に向けたICP-RIEを用いたトレンチ形成プロセスに関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: 縦型GaNパワーデバイス実現に向けたICP-RIEを用いたトレンチ形成プロセスに関する研究
Author/Editor: 山田, 真嗣
Publication, Distribution, etc.: 山田, 真嗣
Publication Date: 2021
Publication Date (W3CDTF): 2021
Alternative Title: Study on trench formation by inductively coupled plasma reactive ion etching for realization of vertical GaN power devices
Degree grantor/type: 名古屋大学
Date Granted: 2021-03-25
Date Granted (W3CDTF): 2021-03-25
Dissertation Number: 甲第13610号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12060535
https://dl.ndl.go.jp/pid/12060535
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
Acquisition Basis: 博士論文（送信）
Date Accepted (W3CDTF): 2022-02-02T20:25:31+09:00
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp