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Monitoring Function for Gate Oxide Degradation to Improve Reliability of SiC MOSFETs Implemented in Power Conversion Circuits

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Monitoring Function for Gate Oxide Degradation to Improve Reliability of SiC MOSFETs Implemented in Power Conversion Circuits

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/12361020
資料種別
博士論文
著者
林, 真一郎
出版者
-
出版年
2022-03-25
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
東京都立大学,博士(工学)
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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
林, 真一郎
著者標目
出版年月日等
2022-03-25
出版年(W3CDTF)
2022-03-25
並列タイトル等
電力変換回路に実装されたSiC MOSFETの信頼性向上を目的としたゲート酸化膜劣化監視機能
授与機関名
東京都立大学
授与年月日
2022-03-25
授与年月日(W3CDTF)
2022-03-25