シリコン基板上集積横注入薄膜レーザ

• 資料種別: 記事
• タイトル: シリコン基板上集積横注入薄膜レーザ
• 著者・編者: 硴塚孝明; 藤井拓郎; 武田浩司
• 出版事項: 日本 : 日本電信電話株式会社
• 出版年月日等: 2015-11
• 出版年（W3CDTF）: 2015-11
• タイトル（掲載誌）: NTT技術ジャーナル
• 巻号年月日等（掲載誌）: 27(11)
• 掲載巻: 27(11)
• 本文の言語コード: jpn
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/12917945; https://dl.ndl.go.jp/pid/12917945
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2023-07-10T10:53:04+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2022-04-17
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/12232857/journal.ntt.co.jp/backnumber2/1511/special.html
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/12917940; https://dl.ndl.go.jp/pid/12917940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp