0.1μm FD-SOI MOSFETの7.5MeV陽子線による照射損傷

• 資料種別: 記事
• タイトル: 0.1μm FD-SOI MOSFETの7.5MeV陽子線による照射損傷
• 著者・編者: 葉山清輝; 高倉健一郎; 大山英典
• 出版事項: 日本 : 国立高等専門学校機構熊本高等専門学校
• 出版年月日等: 2004-12
• 出版年（W3CDTF）: 2004-12
• 並列タイトル等: Radiation damage in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by 7.5-MeV proton irradiation
• タイトル（掲載誌）: 熊本電波工業高等専門学校研究紀要
• 巻号年月日等（掲載誌）: (31)
• 掲載巻: (31)
• 本文の言語コード: jpn
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/12987069; https://dl.ndl.go.jp/pid/12987069
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 独立行政法人; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00033
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2023-09-08T11:50:09+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2013-07-06
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 利用に関する注記: 本資料は、印刷できません。
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/8233614/www.knct.ac.jp/site/view/contview-32525.jsp.html
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/12987065; https://dl.ndl.go.jp/pid/12987065
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp