0.1μm FD-SOI MOSFETの7.5MeV陽子線による照射損傷

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12987069

Material type: 記事

Author: 葉山清輝ほか

Publisher: 国立高等専門学校機構熊本高等専門学校

Publication date: 2004-12

Material Format: Digital

Journal name: 熊本電波工業高等専門学校研究紀要 (31)

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Bibliographic Record

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Digital

Material Type: 記事
Title: 0.1μm FD-SOI MOSFETの7.5MeV陽子線による照射損傷
Author/Editor: 葉山清輝
高倉健一郎
大山英典
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 国立高等専門学校機構熊本高等専門学校
Publication Date: 2004-12
Publication Date (W3CDTF): 2004-12
Alternative Title: Radiation damage in ultra thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by 7.5-MeV proton irradiation
Periodical title: 熊本電波工業高等専門学校研究紀要
No. or year of volume/issue: (31)
Volume: (31)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/12987069
https://dl.ndl.go.jp/pid/12987069
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 独立行政法人
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00033
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2023-09-08T11:50:09+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2013-07-06
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 不可
Note (Availability): 本資料は、印刷できません。
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/8233614/www.knct.ac.jp/site/view/contview-32525.jsp.html
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/12987065
https://dl.ndl.go.jp/pid/12987065
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
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