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博士論文

パワーデバイス向けシリコンウェーハの再結合ライフタイム評価法に関する研究

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パワーデバイス向けシリコンウェーハの再結合ライフタイム評価法に関する研究

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/13739885
資料種別
博士論文
著者
佐々木, 駿
出版者
-
出版年
2024-03-25
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
九州工業大学,博士(工学)
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九州⼯業⼤学博⼠学位論⽂ 学位記番号:生工博甲第478号 学位授与年⽉⽇: 令和6年3⽉25⽇令和5年度

資料詳細

要約等:

パワー半導体は電気自動車や風力発電などの機器で電力変換のキーデバイスとして広く用いられている.パワー半導体はシリコン,炭化シリコン,窒化ガリウムなど様々な半導体ウェーハ上に形成されるが,中でもシリコンウェーハを用いたパワー半導体は高い量産性とコストメリットにより最も多く導入されている.多くのパワー半...

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目次

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  • 第1章 パワーデバイス向けシリコンウェーハの再結合ライフタイム測定技術と課題| 第2章 シリコンウェーハ中の電気的欠陥評価手法| 第3章 OCVD法によるシリコンウェーハの再結合ライフタイム評価の詳細,メリットおよびその課題| 第4章 シリコンウェーハ用のOCVD評価素子の開発| 第5章 OCVD測定時のキャリアの拡散と注入の影響除去式の開発と実証実験| 第6章 OCVD測定時のPiNダイオード側壁での表面再結合の影響除去式の開発と実証実験| 第7章 パワーデバイス向けシリコンウェーハのデバイス特性・ウェーハ中再結合ライフタイム・ウェーハ中欠陥の相関関係調査によるOCVD法の性能確認| 第8章 結論

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
佐々木, 駿
著者標目
出版年月日等
2024-03-25
出版年(W3CDTF)
2024-03-25
授与機関名
九州工業大学
授与年月日
2024-03-25
授与年月日(W3CDTF)
2024-03-25
報告番号
甲第478号