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DOI[10.18997/0002000939]のデータに遷移します
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第1章 パワーデバイス向けシリコンウェーハの再結合ライフタイム測定技術と課題| 第2章 シリコンウェーハ中の電気的欠陥評価手法| 第3章 OCVD法によるシリコンウェーハの再結合ライフタイム評価の詳細,メリットおよびその課題| 第4章 シリコンウェーハ用のOCVD評価素子の開発| 第5章 OCVD測定時のキャリアの拡散と注入の影響除去式の開発と実証実験| 第6章 OCVD測定時のPiNダイオード側壁での表面再結合の影響除去式の開発と実証実験| 第7章 パワーデバイス向けシリコンウェーハのデバイス特性・ウェーハ中再結合ライフタイム・ウェーハ中欠陥の相関関係調査によるOCVD法の性能確認| 第8章 結論
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- 佐々木, 駿
- 著者標目
- 出版年月日等
- 2024-03-25
- 出版年(W3CDTF)
- 2024-03-25
- 授与機関名
- 九州工業大学
- 授与年月日
- 2024-03-25
- 授与年月日(W3CDTF)
- 2024-03-25
- 報告番号
- 甲第478号