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博士論文

パワーデバイス向けシリコンウェーハの再結合ライフタイム評価法に関する研究

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パワーデバイス向けシリコンウェーハの再結合ライフタイム評価法に関する研究

Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/13739885
Material type
博士論文
Author
佐々木, 駿
Publisher
-
Publication date
2024-03-25
Material Format
Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
九州工業大学,博士(工学)
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Notes on use at the National Diet Library

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Note (General):

九州⼯業⼤学博⼠学位論⽂ 学位記番号:生工博甲第478号 学位授与年⽉⽇: 令和6年3⽉25⽇令和5年度

Detailed bibliographic record

Summary, etc.:

パワー半導体は電気自動車や風力発電などの機器で電力変換のキーデバイスとして広く用いられている.パワー半導体はシリコン,炭化シリコン,窒化ガリウムなど様々な半導体ウェーハ上に形成されるが,中でもシリコンウェーハを用いたパワー半導体は高い量産性とコストメリットにより最も多く導入されている.多くのパワー半...

Table of Contents

Provided by:学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)Link to Help Page
  • 第1章 パワーデバイス向けシリコンウェーハの再結合ライフタイム測定技術と課題| 第2章 シリコンウェーハ中の電気的欠陥評価手法| 第3章 OCVD法によるシリコンウェーハの再結合ライフタイム評価の詳細,メリットおよびその課題| 第4章 シリコンウェーハ用のOCVD評価素子の開発| 第5章 OCVD測定時のキャリアの拡散と注入の影響除去式の開発と実証実験| 第6章 OCVD測定時のPiNダイオード側壁での表面再結合の影響除去式の開発と実証実験| 第7章 パワーデバイス向けシリコンウェーハのデバイス特性・ウェーハ中再結合ライフタイム・ウェーハ中欠陥の相関関係調査によるOCVD法の性能確認| 第8章 結論

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Bibliographic Record

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Digital

Material Type
博士論文
Author/Editor
佐々木, 駿
Author Heading
Publication Date
2024-03-25
Publication Date (W3CDTF)
2024-03-25
Degree grantor/type
九州工業大学
Date Granted
2024-03-25
Date Granted (W3CDTF)
2024-03-25
Dissertation Number
甲第478号