A study of fundamentals related to plasma processing of silicon devices

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: A study of fundamentals related to plasma processing of silicon devices
• 著者・編者: 名村高 [著]
• 著者標目: 名村, 高 ナムラ, タカシ
• 並列タイトル等: シリコン半導体デバイスのプラズマ加工に関わる基礎的研究 シリコン ハンドウタイ デバイス ノ プラズマ カコウ ニ カカワル キソテキ ケンキュウ
• 授与機関名: 京都大学
• 授与年月日: 平成6年3月23日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1994
• 報告番号: 乙第8529号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-94-J258
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000271231; http://id.ndl.go.jp/bib/000000271231
• 整理区分コード: 213

目次

論文目録

Contents

1 Introduction

1.1 Role of plasma processing in microelectronics

1.2 Elementary problems in plasma processing of silicon devices