Photoluminescence analysis and its application to defect characterization in silicon

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Photoluminescence analysis and its application to defect characterization in silicon
• 著者・編者: 井深重夫 [著]
• 著者標目: 井深, 重夫 イブカ, シゲオ
• 並列タイトル等: シリコンのフォトルミネッセンス分析とその欠陥評価への応用 シリコン ノ フォトルミネッセンス ブンセキ ト ソノ ケッカン ヒョウカ エ ノ オウヨウ
• 授与機関名: 東京理科大学
• 授与年月日: 平成10年3月20日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1998
• 報告番号: 甲第331号
• 学位: 博士 (理学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-98-W508
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000328812; http://id.ndl.go.jp/bib/000000328812
• 整理区分コード: 213

目次

Contents

Chapter1 General introduction

1.1.Silicon crystal as a device substrate

1.2.Czochralski-grown silicon crystal

1.3.Silicon-on-insulator(SOI)