Photoluminescence analysis and its application to defect characterization in silicon

• Material Type: 博士論文
• Title: Photoluminescence analysis and its application to defect characterization in silicon
• Author/Editor: 井深重夫 [著]
• Author Heading: 井深, 重夫 イブカ, シゲオ
• Alternative Title: シリコンのフォトルミネッセンス分析とその欠陥評価への応用 シリコン ノ フォトルミネッセンス ブンセキ ト ソノ ケッカン ヒョウカ エ ノ オウヨウ
• Degree Grantor: 東京理科大学
• Date Granted: 平成10年3月20日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 甲第331号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-W508
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000328812; http://id.ndl.go.jp/bib/000000328812
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Chapter1 General introduction

1.1.Silicon crystal as a device substrate

1.2.Czochralski-grown silicon crystal

1.3.Silicon-on-insulator(SOI)