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博士論文

イオン散乱・反跳分光法による半導体表面・界面の研究

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イオン散乱・反跳分光法による半導体表面・界面の研究

国立国会図書館請求記号
UT51-99-R357
国立国会図書館書誌ID
000000340600
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3155411
資料種別
博士論文
著者
布瀬暁志 [著]
出版者
-
授与年月日
平成11年3月25日
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与機関名・学位
大阪大学,博士 (工学)
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目次

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  • Contents

    p3

  • 第1章 はじめに

    p1

  • 参考文献

    p7

  • 第2章 イオン散乱・反跳の測定原理

    p10

  • 2-1 緒言

    p10

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
タイトルよみ
イオン サンラン ハンチョウ ブンコウホウ ニ ヨル ハンドウタイ ヒョウメン カイメン ノ ケンキュウ
著者・編者
布瀬暁志 [著]
著者標目
布瀬, 暁志 フセ, タカシ
授与機関名
大阪大学
授与年月日
平成11年3月25日
授与年月日(W3CDTF)
1999
報告番号
甲第6927号
学位
博士 (工学)