イオン散乱・反跳分光法による半導体表面・界面の研究
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Table of Contents
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Contents
p3
第1章 はじめに
p1
参考文献
p7
第2章 イオン散乱・反跳の測定原理
p10
2-1 緒言
p10
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- イオン サンラン ハンチョウ ブンコウホウ ニ ヨル ハンドウタイ ヒョウメン カイメン ノ ケンキュウ
- Author/Editor
- 布瀬暁志 [著]
- Author Heading
- 布瀬, 暁志 フセ, タカシ
- Degree Grantor
- 大阪大学
- Date Granted
- 平成11年3月25日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1999
- Dissertation Number
- 甲第6927号
- Degree Type
- 博士 (工学)
- Note (Dissertation)
- 博士論文
- Place of Publication (Country Code)
- JP
- NDLC
- Note (General)
- 博士論文
- Holding library
- 国立国会図書館
- Call No.
- UT51-99-R357
- Data Provider (Database)
- 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
- Bibliographic ID (NDL)
- 000000340600
- Bibliographic Record Category (NDL)
- 213
- DOI
- 10.11501/3155411
- Persistent ID (NDL)
- info:ndljp/pid/3155411
- Collection
- Collection (Materials For Handicapped People:1)
- Collection (Materials For Handicapped People:2)
- Collection (particular)
- 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
- Producer
- 国立国会図書館
- Date Accepted (W3CDTF)
- 2011-12-05T17:25:46+09:00
- Format (IMT)
- image/jp2
- Access Restrictions
- 国立国会図書館内限定公開
- Service for the Digitized Contents Transmission Service
- 図書館・個人送信対象
- Availability of remote photoduplication service
- 可
- Call No.
- UT51-99-R357
- Data Provider (Database)
- 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション