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博士論文

A study of reactive ion beam etching process for optoelectronic micro-devices

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A study of reactive ion beam etching process for optoelectronic micro-devices

国立国会図書館請求記号
UT51-99-Y446
国立国会図書館書誌ID
000000346490
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3161297
資料種別
博士論文
著者
松谷晃宏 [著]
出版者
-
授与年月日
平成11年2月28日
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与機関名・学位
東京工業大学,博士 (工学)
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目次

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  • 論文目録

  • Chapter 1 Introduction

    p1

  • 1.1 Background and History of Dry Etching Process

    p1

  • 1.2 Problems in Dry Etching for Microstructure Optoelectronic Devices

    p3

  • 1.3 Objective of This Study

    p5

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
松谷晃宏 [著]
著者標目
松谷, 晃宏 マツタニ, アキヒロ
数量
並列タイトル等
極微光デバイス製作のための反応性イオンビームエッチングに関する研究 ゴク ビコウ デバイス セイサク ノ タメ ノ ハンノウセイ イオン ビーム エッチング ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
東京工業大学
授与年月日
平成11年2月28日
授与年月日(W3CDTF)
1999
報告番号
乙第3270号