InAs量子ドットのMBEによる作製と半導体レーザーへの応用

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: InAs量子ドットのMBEによる作製と半導体レーザーへの応用
• タイトルよみ: InAs リョウシ ドット ノ MBE ニ ヨル サクセイ ト ハンドウタイ レーザー エノ オウヨウ
• 著者・編者: 斎藤英彰 [著]
• 著者標目: 斎藤, 英彰 サイトウ, ヒデアキ
• 出版事項: [斎藤英彰]
• 出版年月日等: 2000
• 出版年（W3CDTF）: 2000
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: Fabrication of InAs quantum dots by molecular beam epitaxy and their application to semiconductor lasers
• 授与機関名: 早稲田大学
• 授与年月日: 平成12年6月22日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2000
• 報告番号: 乙第1546号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2001-E110
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000399715; http://id.ndl.go.jp/bib/000000399715
• 整理区分コード: 213

目次

目次

第1章 序論

1-1.はじめに

1-2.目的と概要

第1章の参考文献