InAs量子ドットのMBEによる作製と半導体レーザーへの応用

• Material Type: 博士論文
• Title: InAs量子ドットのMBEによる作製と半導体レーザーへの応用
• Title Transcription: InAs リョウシ ドット ノ MBE ニ ヨル サクセイ ト ハンドウタイ レーザー エノ オウヨウ
• Author/Editor: 斎藤英彰 [著]
• Author Heading: 斎藤, 英彰 サイトウ, ヒデアキ
• Publication, Distribution, etc.: [斎藤英彰]
• Publication Date: 2000
• Publication Date (W3CDTF): 2000
• Extent: 1冊
• Alternative Title: Fabrication of InAs quantum dots by molecular beam epitaxy and their application to semiconductor lasers
• Degree Grantor: 早稲田大学
• Date Granted: 平成12年6月22日
• Date Granted (W3CDTF): 2000
• Dissertation Number: 乙第1546号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-E110
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000399715; http://id.ndl.go.jp/bib/000000399715
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1-1.はじめに

1-2.目的と概要

第1章の参考文献