A vertical insulated gate AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor

国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3382984

資料種別: 記事

著者: Masakazu Kanechikaほか

出版者: 豊田中央研究所

出版年: 2011-06

資料形態: デジタル

掲載誌名: R&D review of Toyota CRDL 42(2)

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: A vertical insulated gate AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor
著者・編者: Masakazu Kanechika
Masahiro Sugimoto
Narumasa Soejima
出版事項: 日本 : 豊田中央研究所
出版年月日等: 2011-06
出版年（W3CDTF）: 2011-06
数量: 容量 : 422_001kanechika.pdf(687147bytes)
並列タイトル等: 縦型GaNデバイスの開発
タイトル（掲載誌）: R&D review of Toyota CRDL
巻号年月日等（掲載誌）: 42(2)
掲載巻: 42(2)
ISSN（掲載誌）: 2186-9014
ISSN-L（掲載誌）: 2186-9014
本文の言語コード: eng
国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3382984
https://dl.ndl.go.jp/pid/3382984
コレクション（共通）: 障害者向け資料
コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
受理日（W3CDTF）: 2012-02-09T00:55:24+09:00
保存日（W3CDTF）: 2012-02-03
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
遠隔複写可否（NDL）: 不可
掲載誌（URI）: http://www.tytlabs.co.jp/review/japanese/issue/vol42-2.html
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3382982
https://dl.ndl.go.jp/pid/3382982
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp