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電子書籍・電子雑誌豊田中央研究所R&Dレビュー
巻号39 (4)
Proposal o...

Proposal of a new high power Insulated Gate BipolarTtransistor

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Proposal of a new high power Insulated Gate BipolarTtransistor

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3494630
資料種別
記事
著者
Sachiko Kawajiほか
出版者
豊田中央研究所
出版年
2004-12
資料形態
デジタル
掲載誌名
豊田中央研究所R&Dレビュー 39(4)
掲載ページ
-
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Sachiko Kawaji
Masayasu Ishiko
Katsuhiko Nishiwaki
Toyokazu Ohnishi
出版年月日等
2004-12
出版年(W3CDTF)
2004-12
数量
容量 : 394_007kawaji.pdf(134739bytes)
並列タイトル等
新しい高出力IGBTの提案
タイトル(掲載誌)
豊田中央研究所R&Dレビュー
巻号年月日等(掲載誌)
39(4)