ECR-MBE法により作製したSi(111)基板上GaNヘテロエピタキシャル成長

• 資料種別: 記事
• タイトル: ECR-MBE法により作製したSi(111)基板上GaNヘテロエピタキシャル成長
• 著者・編者: 淀徳男; 山田勝; 原田義之
• 出版事項: 日本 : 大阪工業大学
• 出版年月日等: 2010-10-31
• 出版年（W3CDTF）: 2010-10-31
• 数量: 容量 : 04.pdf(2352326bytes)
• 並列タイトル等: Hetero-epitaxial growth of GaN on Si (111) substrate by ECR-MBE method
• タイトル（掲載誌）: 大阪工業大学紀要 : 理工篇
• 巻号年月日等（掲載誌）: 55(1)
• 掲載巻: 55(1)
• 本文の言語コード: jpn
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3500478; https://dl.ndl.go.jp/pid/3500478
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 私立大学; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00041
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2012-06-21T00:56:10+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2011-04-13
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/1466558/www.oit.ac.jp/japanese/toshokan/tosho/kiyou/rikouhen/55-1/index.html
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3500474; https://dl.ndl.go.jp/pid/3500474
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp