ECR-MBE法により作製したSi(111)基板上GaNヘテロエピタキシャル成長

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/3500478

Material type: 記事

Author: 淀徳男ほか

Publisher: 大阪工業大学

Publication date: 2010-10-31

Material Format: Digital

Journal name: 大阪工業大学紀要 : 理工篇 55(1)

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Digital

Material Type: 記事
Title: ECR-MBE法により作製したSi(111)基板上GaNヘテロエピタキシャル成長
Author/Editor: 淀徳男
山田勝
原田義之
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 大阪工業大学
Publication Date: 2010-10-31
Publication Date (W3CDTF): 2010-10-31
Extent: 容量 : 04.pdf(2352326bytes)
Alternative Title: Hetero-epitaxial growth of GaN on Si (111) substrate by ECR-MBE method
Periodical title: 大阪工業大学紀要 : 理工篇
No. or year of volume/issue: 55(1)
Volume: 55(1)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/3500478
https://dl.ndl.go.jp/pid/3500478
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 私立大学
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00041
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2012-06-21T00:56:10+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2011-04-13
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Availability of remote photoduplication service: 不可
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/1466558/www.oit.ac.jp/japanese/toshokan/tosho/kiyou/rikouhen/55-1/index.html
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/3500474
https://dl.ndl.go.jp/pid/3500474
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp