次世代Siデバイス向けPECVD低誘電率層間絶縁膜用プレカーサーの開発

国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3512936

資料種別: 記事

著者: 田島暢夫ほか

出版者: 大陽日酸

出版年: 2005-12-02

資料形態: デジタル

掲載誌名: 大陽日酸技報 (24)

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: 次世代Siデバイス向けPECVD低誘電率層間絶縁膜用プレカーサーの開発
著者・編者: 田島暢夫
神力学
宮澤和浩
出版事項: 日本 : 大陽日酸
出版年月日等: 2005-12-02
出版年（W3CDTF）: 2005-12-02
数量: 容量 : 04.pdf(763807bytes)
並列タイトル等: Development of new PECVD precursors for low-k films with high mechanical strength for next generation silicon devices
タイトル（掲載誌）: 大陽日酸技報
巻号年月日等（掲載誌）: (24)
掲載巻: (24)
本文の言語コード: jpn
国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3512936
https://dl.ndl.go.jp/pid/3512936
コレクション（共通）: 障害者向け資料
コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
受理日（W3CDTF）: 2012-07-26T01:08:01+09:00
保存日（W3CDTF）: 2011-01-18
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
遠隔複写可否（NDL）: 不可
掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/1284606/www.tn-sanso-giho.com/report24.html
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3512932
https://dl.ndl.go.jp/pid/3512932
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp