22nm世代ULSI配線用キャップ層をターゲットとしたSi-C2H4-Si豊富なPECVD-SiCH膜形成のための新規原料設計

• 資料種別: 記事
• タイトル: 22nm世代ULSI配線用キャップ層をターゲットとしたSi-C2H4-Si豊富なPECVD-SiCH膜形成のための新規原料設計
• 著者・編者: 清水秀治; 永野修次; 田島暢夫
• 出版事項: 日本 : 大陽日酸
• 出版年月日等: 2010-12-08
• 出版年（W3CDTF）: 2010-12-08
• 数量: 容量 : tnscgiho29_03.pdf(888660bytes)
• 並列タイトル等: Design of novel precursor for development of Si-C2H4-Si networks in SiCH for application as a low-k cap layer beyond 22nm nodes
• タイトル（掲載誌）: 大陽日酸技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: (29)
• 掲載巻: (29)
• 本文の言語コード: jpn
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3513071; https://dl.ndl.go.jp/pid/3513071
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2012-07-26T01:08:01+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2011-01-18
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/1284606/www.tn-sanso-giho.com/report29.html
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3513067; https://dl.ndl.go.jp/pid/3513067
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp