65 nm世代LSI用低誘電率層間絶縁材料

国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3516757

資料種別: 記事

著者: 矢野映ほか

出版者: 富士通

出版年: 2005-07

資料形態: デジタル

掲載誌名: Fujitsu 56(4)

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: 65 nm世代LSI用低誘電率層間絶縁材料
著者・編者: 矢野映
中田義弘
杉浦巌
出版事項: 日本 : 富士通
出版年月日等: 2005-07
出版年（W3CDTF）: 2005-07
数量: 容量 : paper02.pdf(462107bytes)
並列タイトル等: Low-k interlayer dielectrics for 65 nm-node LSIs
タイトル（掲載誌）: Fujitsu
巻号年月日等（掲載誌）: 56(4)
掲載巻: 56(4)
本文の言語コード: jpn
国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/3516757
https://dl.ndl.go.jp/pid/3516757
コレクション（共通）: 障害者向け資料
コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
受理日（W3CDTF）: 2012-08-08T00:54:27+09:00
保存日（W3CDTF）: 2009-11-12
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
遠隔複写可否（NDL）: 不可
掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/286691/jp.fujitsu.com/about/magazine/backnumber/vol56-4.html
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/3516755
https://dl.ndl.go.jp/pid/3516755
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp