65 nm世代LSI用低誘電率層間絶縁材料

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/3516757

Material type: 記事

Author: 矢野映ほか

Publisher: 富士通

Publication date: 2005-07

Material Format: Digital

Journal name: Fujitsu 56(4)

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Bibliographic Record

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Digital

Material Type: 記事
Title: 65 nm世代LSI用低誘電率層間絶縁材料
Author/Editor: 矢野映
中田義弘
杉浦巌
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 富士通
Publication Date: 2005-07
Publication Date (W3CDTF): 2005-07
Extent: 容量 : paper02.pdf(462107bytes)
Alternative Title: Low-k interlayer dielectrics for 65 nm-node LSIs
Periodical title: Fujitsu
No. or year of volume/issue: 56(4)
Volume: 56(4)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/3516757
https://dl.ndl.go.jp/pid/3516757
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2012-08-08T00:54:27+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2009-11-12
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Availability of remote photoduplication service: 不可
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/286691/jp.fujitsu.com/about/magazine/backnumber/vol56-4.html
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/3516755
https://dl.ndl.go.jp/pid/3516755
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp