水素終端Si表面におけるNiシリサイド形成の制御

• 資料種別: 記事
• タイトル: 水素終端Si表面におけるNiシリサイド形成の制御
• 著者・編者: 上田一之; 野村宏治
• 出版事項: 日本 : 日本表面科学会
• 出版年月日等: 1996
• 出版年（W3CDTF）: 1996
• 並列タイトル等: Control of Ni-silicide formation on hydrogen-terminated silicon surfaces
• タイトル（掲載誌）: 表面科学 : 日本表面科学会誌
• 巻号年月日等（掲載誌）: 17(3)
• 掲載巻: 17(3)
• 本文の言語コード: jpn
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/8325610; https://dl.ndl.go.jp/pid/8325610
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2013-10-19T02:33:07+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2008-01-26
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/274949/www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sssj/Vol17/Vol17_03.htm
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/8325608; https://dl.ndl.go.jp/pid/8325608
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp