水素終端Si表面におけるNiシリサイド形成の制御

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Material Type: 記事
Title: 水素終端Si表面におけるNiシリサイド形成の制御
Author/Editor: 上田一之
野村宏治
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 日本表面科学会
Publication Date: 1996
Publication Date (W3CDTF): 1996
Alternative Title: Control of Ni-silicide formation on hydrogen-terminated silicon surfaces
Periodical title: 表面科学 : 日本表面科学会誌
No. or year of volume/issue: 17(3)
Volume: 17(3)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/8325610
https://dl.ndl.go.jp/pid/8325610
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2013-10-19T02:33:07+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2008-01-26
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Availability of remote photoduplication service: 不可
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/274949/www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sssj/Vol17/Vol17_03.htm
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/8325608
https://dl.ndl.go.jp/pid/8325608
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp