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電子書籍・電子雑誌表面科学 : 日本表面科学会誌
巻号23 (2)
水素終端Si表面にお...

水素終端Si表面におけるGe成長の理論

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水素終端Si表面におけるGe成長の理論

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/8327188
資料種別
記事
著者
奈良純ほか
出版者
日本表面科学会
出版年
2002-02
資料形態
デジタル
掲載誌名
表面科学 : 日本表面科学会誌 23(2)
掲載ページ
-
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
奈良純
大野隆央
出版年月日等
2002-02
出版年(W3CDTF)
2002-02
並列タイトル等
Theoretical investigation of Ge growth on H-terminated Si surface
タイトル(掲載誌)
表面科学 : 日本表面科学会誌
巻号年月日等(掲載誌)
23(2)
掲載巻
23(2)