水素終端Si表面におけるGe成長の理論

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/8327188

Material type: 記事

Author: 奈良純ほか

Publisher: 日本表面科学会

Publication date: 2002-02

Material Format: Digital

Journal name: 表面科学 : 日本表面科学会誌 23(2)

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Bibliographic Record

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Digital

Material Type: 記事
Title: 水素終端Si表面におけるGe成長の理論
Author/Editor: 奈良純
大野隆央
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 日本表面科学会
Publication Date: 2002-02
Publication Date (W3CDTF): 2002-02
Alternative Title: Theoretical investigation of Ge growth on H-terminated Si surface
Periodical title: 表面科学 : 日本表面科学会誌
No. or year of volume/issue: 23(2)
Volume: 23(2)
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/8327188
https://dl.ndl.go.jp/pid/8327188
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
Acquisition Basis: インターネット資料収集保存事業（WARP）
Date Accepted (W3CDTF): 2013-10-19T02:33:07+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2008-01-26
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Availability of remote photoduplication service: 不可
Periodical Title (URI): https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/274949/www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sssj/Vol23/23-02/23-02.htm
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/8327185
https://dl.ndl.go.jp/pid/8327185
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp