Si基板上パワーデバイス向けMOCVD装置の開発

• 資料種別: 記事
• タイトル: Si基板上パワーデバイス向けMOCVD装置の開発
• 著者・編者: 生方映徳; 矢野良樹; 島村隼斗
• 出版事項: 日本 : 大陽日酸
• 出版年月日等: 2011-12-02
• 出版年（W3CDTF）: 2011-12-02
• 並列タイトル等: Development of production-scale MOCVD system for GaN power devices on Si substrates
• タイトル（掲載誌）: 大陽日酸技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: (30)
• 掲載巻: (30)
• 本文の言語コード: jpn
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/8377661; https://dl.ndl.go.jp/pid/8377661
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2013-12-03T12:31:06+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2011-12-15
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/3193686/www.tn-sanso-giho.com/report30.html
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/8377656; https://dl.ndl.go.jp/pid/8377656
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp