イオン注入したGaN中のSiの局所構造解析

国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/8804449

資料種別: 記事

著者: 米村卓巳ほか

出版者: 高輝度光科学研究センター

出版年: 2014-07-10

資料形態: デジタル

掲載誌名: SPring-8/SACLA利用研究成果集 2(1)

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: イオン注入したGaN中のSiの局所構造解析
著者・編者: 米村卓巳
飯原順次
橋本信
出版事項: 日本 : 高輝度光科学研究センター
出版年月日等: 2014-07-10
出版年（W3CDTF）: 2014-07-10
並列タイトル等: Local structure analysis of ion implanted Si in GaN by X-ray absorption fine structure
タイトル（掲載誌）: SPring-8/SACLA利用研究成果集
巻号年月日等（掲載誌）: 2(1)
掲載巻: 2(1)
ISSN（掲載誌）: 2187-6886
ISSN-L（掲載誌）: 2187-6886
本文の言語コード: jpn
国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/8804449
https://dl.ndl.go.jp/pid/8804449
コレクション（共通）: 障害者向け資料
コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
収集根拠: オンライン資料収集制度
受理日（W3CDTF）: 2014-11-18T22:26:08+09:00
保存日（W3CDTF）: 2014-09-30
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
遠隔複写可否（NDL）: 可
掲載誌（URI）: https://user.spring8.or.jp/resrep/?cat=14
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/8804413
https://dl.ndl.go.jp/pid/8804413
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp