イオン注入したGaN中のSiの局所構造解析

Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/8804449

Material type: 記事

Author: 米村卓巳ほか

Publisher: 高輝度光科学研究センター

Publication date: 2014-07-10

Material Format: Digital

Journal name: SPring-8/SACLA利用研究成果集 2(1)

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Digital

Material Type: 記事
Title: イオン注入したGaN中のSiの局所構造解析
Author/Editor: 米村卓巳
飯原順次
橋本信
Publication, Distribution, etc.: 日本 : 高輝度光科学研究センター
Publication Date: 2014-07-10
Publication Date (W3CDTF): 2014-07-10
Alternative Title: Local structure analysis of ion implanted Si in GaN by X-ray absorption fine structure
Periodical title: SPring-8/SACLA利用研究成果集
No. or year of volume/issue: 2(1)
Volume: 2(1)
ISSN (Periodical Title): 2187-6886
ISSN-L (Periodical Title): 2187-6886
Text Language Code: jpn
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/8804449
https://dl.ndl.go.jp/pid/8804449
Collection: 障害者向け資料
Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
Acquisition Basis: オンライン資料収集制度
Date Accepted (W3CDTF): 2014-11-18T22:26:08+09:00
Date Captured (W3CDTF): 2014-09-30
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
Availability of remote photoduplication service: 可
Periodical Title (URI): https://user.spring8.or.jp/resrep/?cat=14
Periodical Title (Persistent ID (NDL)): info:ndljp/pid/8804413
https://dl.ndl.go.jp/pid/8804413
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
https://dl.ndl.go.jp