光励起CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とメモリデバイスへの応用

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資料種別: 図書
タイトル: 光励起CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とメモリデバイスへの応用
タイトルよみ: ヒカリレイキ CVDホウニヨル PZTケイキョウユウデンタイハクマクノサクセイトメモリデバイスエノオウヨウ
著者・編者: 塩嵜忠研究代表
著者標目: 塩崎, 忠シオサキ, タダシ
https://ci.nii.ac.jp/author/DA00474049
京都大学大学院工学研究科キョウトダイガクダイガクインコウガクケンキュウカ
https://ci.nii.ac.jp/author/DA12826609
出版事項: [塩嵜忠]
出版年月日等: 1994.3
出版年（W3CDTF）: 1994
大きさ: 30cm
並列タイトル等: 平成5年度科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書 : 04452176
出版地（国名コード）: ja
本文の言語コード: ja
対象利用者: 一般
一般注記: 京都大学工学部
関連情報（URI）: https://ci.nii.ac.jp/ncid/BA73858238#entity
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research
提供元機関・データベース: CiNii Books
https://ci.nii.ac.jp/books
NACSIS書誌ID（NCID）: https://ci.nii.ac.jp/ncid/BA73858238 : BA73858238