架橋型InAs量子細線におけるバリスティック伝導特性

• 資料種別: 記事
• タイトル: 架橋型InAs量子細線におけるバリスティック伝導特性
• 著者標目: 鎌田 大; Deacon R. S.; 松尾 貞茂; https://orcid.org/0000-0001-8316-2117; 馬場 翔二; Li K.; Xu H. Q.; 大岩 顕; https://orcid.org/0000-0001-5599-5824; 樽茶 清悟
• 出版年月日等: 2016
• 出版年（W3CDTF）: 2016
• タイトル（掲載誌）: 日本物理学会講演概要集
• 巻号年月日等（掲載誌）: 71.2 0
• 掲載巻: 71.2
• 掲載号: 0
• 掲載ページ: 1077-1077
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2016
• ISSN-L（掲載誌）: 21890803
• 出版事項（掲載誌）: The Physical Society of Japan
• 本文の言語コード: ja
• 件名標目: 量子細線; 実験; 拡散伝導・バリスティック伝導
• 対象利用者: 一般
• イベントの日付、場所: 2016年度日本物理学会秋季大会
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1077
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : CiNii Research
• 提供元機関・データベース: Japan Link Center; https://japanlinkcenter.org/top; CiNii Articles
• NII論文ID: 130006243729

• 要約等: <p>半導体量子細線において、架橋構造を用いることにより基板表面による散乱が抑制され、高品質な一次元伝導チャネルが実現できることが知られている。今回、SiO2基板をエッチング加工することにより、量子細線の電極間距離が100nm程度の架橋型InAs細線試料を作製することが可能となり、バリスティック伝導...