架橋型InAs量子細線におけるバリスティック伝導特性

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Summary, etc.：: <p>半導体量子細線において、架橋構造を用いることにより基板表面による散乱が抑制され、高品質な一次元伝導チャネルが実現できることが知られている。今回、SiO2基板をエッチング加工することにより、量子細線の電極間距離が100nm程度の架橋型InAs細線試料を作製することが可能となり、バリスティック伝導...

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Material Type: 記事
Title: 架橋型InAs量子細線におけるバリスティック伝導特性
Author Heading: 鎌田大
Deacon R. S.
松尾貞茂
https://orcid.org/0000-0001-8316-2117
馬場翔二
Li K.
Xu H. Q.
大岩顕
https://orcid.org/0000-0001-5599-5824
樽茶清悟
Publication Date: 2016
Publication Date (W3CDTF): 2016
Periodical title: 日本物理学会講演概要集
No. or year of volume/issue: 71.2 0
Volume: 71.2
Issue: 0
Pages: 1077-1077
Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2016
ISSN-L (Periodical Title): 21890803
Publication (Periodical Title): The Physical Society of Japan
Text Language Code: ja
Subject Heading: 量子細線
実験
拡散伝導・バリスティック伝導
Target Audience: 一般
Date/Time and Place of an Event: 2016年度日本物理学会秋季大会
DOI: 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1077
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : CiNii Research
Original Data Provider (Database): Japan Link Center
https://japanlinkcenter.org/top
CiNii Articles
NAID: 130006243729