IGBT用Siウェーハの少数キャリアライフタイムおよび欠陥準位評価

• Material Type: 記事
• Title: IGBT用Siウェーハの少数キャリアライフタイムおよび欠陥準位評価
• Author/Editor: 田上 慶次; Madishetty Ritesh; 曹 瑞軒; 袁 九洋; 蔡 博舟; 宮村 佳児; 齋藤 渉; 西澤 伸一
• Series Title: 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・電力変換器とその制御
• Author Heading: 田上 慶次; Madishetty Ritesh; 曹 瑞軒; 袁 九洋; 蔡 博舟; 宮村 佳児; 齋藤 渉; 西澤 伸一
• Alternative Title: Evaluation of Minority Carrier Lifetime and Defect Levels in Si Wafers for IGBTs
• Periodical title: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
• No. or year of volume/issue: 2025(75-89):2025.10.24
• Volume: 2025
• Issue: 75-89
• Pages: 7-12
• Publication date of volume/issue (W3CDTF): 2025-10-24
• Publication (Periodical Title): 東京 : 電気学会
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: IGBT; Siウェーハ; 少数キャリアライフタイム; 欠陥準位; QSSPC法; DLTS法; Si Wafer; Minority Carrier Lifetime; Defect Energy Level; QSSPC; DLTS
• NDLC: ZN33
• Target Audience: 一般
• Report No. (Article): EDD-25-076
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z43-225
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 034420854; http://id.ndl.go.jp/bib/034420854
• Bibliographic Record Category (NDL): 632